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DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

참조 용

부품 번호 DMN61D9UDW-13
PNEDA 부품 번호 DMN61D9UDW-13
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN61D9UDW-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN61D9UDW-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN61D9UDW-13, DMN61D9UDW-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 533.15 KB)
PDFDMN61D9UDW-13 데이터 시트 표지
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  • DMN61D9UDW-13 Distributor

DMN61D9UDW-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds28.5pF @ 30V
전력-최대320mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.6nC, 9.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

193pF, 450pF @ 20V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

IRF7104TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IRF5850

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

GWS9294

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

3.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-VDFN

공급자 장치 패키지

4-QFN (2x2)

UPA2384T1P-E1-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

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