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CY62148EV30LL-45BVXIT

CY62148EV30LL-45BVXIT

참조 용

부품 번호 CY62148EV30LL-45BVXIT
PNEDA 부품 번호 CY62148EV30LL-45BVXIT
설명 IC SRAM 4M PARALLEL 36VFBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,258
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY62148EV30LL-45BVXIT 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY62148EV30LL-45BVXIT
분류반도체메모리 IC기억

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CY62148EV30LL-45BVXIT 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈MoBL®
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지45ns
접근 시간45ns
전압-공급2.2V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스36-VFBGA
공급자 장치 패키지36-VFBGA (6x8)

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x10.5)

S26KL512SDABHV020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

HyperFlash™ KL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

96ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-VBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

IDT71V3576S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CG8203AAT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

GD5F4GQ4RBYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

120MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x8)

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