CMPDM7002AHC TR
참조 용
| 부품 번호 | CMPDM7002AHC TR |
| PNEDA 부품 번호 | CMPDM7002AHC-TR |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 56,796 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 25 - 6월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CMPDM7002AHC TR 리소스
| 브랜드 | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CMPDM7002AHC TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CMPDM7002AHC TR 사양
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 240pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 350mW (Ta) |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 274pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 UltraFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11.3nC @ 10V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 38W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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