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2N4416A

2N4416A 2N4416A

참조 용

부품 번호 2N4416A
PNEDA 부품 번호 2N4416A_105
설명 JFET N-CH 35V 0.3W TO-72
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가
1 ---------- $3.3285
250 ---------- $3.1725
500 ---------- $3.0165
1,000 ---------- $2.8604
2,500 ---------- $2.7304
5,000 ---------- $2.6004
재고 있음 1,818
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2N4416A 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4416A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N4416A, 2N4416A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 1,121.82 KB)
PDF2N4416A 데이터 시트 표지
2N4416A 데이터 시트 페이지 2 2N4416A 데이터 시트 페이지 3 2N4416A 데이터 시트 페이지 4 2N4416A 데이터 시트 페이지 5

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  • 2N4416A Distributor

2N4416A 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)35V
드레인-소스 전압 (Vdss)35V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-72

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

175 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

2N5114JTX02

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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