BSL205NL6327HTSA1
참조 용
| 부품 번호 | BSL205NL6327HTSA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSL205NL6327HTSA1 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,482 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 5 - 7월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSL205NL6327HTSA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSL205NL6327HTSA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BSL205NL6327HTSA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 11µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 419pF @ 10V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TSOP-6-6 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 1.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 410pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-UDFNB (2x2) |
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