APTC80AM75SCG
참조 용
| 부품 번호 | APTC80AM75SCG |
| PNEDA 부품 번호 | APTC80AM75SCG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,520 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 27 - 7월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTC80AM75SCG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTC80AM75SCG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTC80AM75SCG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 800V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 56A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 28A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.9V @ 4mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 364nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9015pF @ 25V |
| 전력-최대 | 568W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 505pF @ 20V 전력-최대 1W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 SOT-28FL/VEC8 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 647pF @ 10V 전력-최대 890mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 16V 전력-최대 960mW 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.58A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1495pF @ 10V 전력-최대 880mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
