BFG10,215
참조 용
| 부품 번호 | BFG10,215 |
| PNEDA 부품 번호 | BFG10-215 |
| 설명 | RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,434 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BFG10 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BFG10,215 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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BFG10 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 8V |
| 주파수-전환 | 1.9GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | 7dB |
| 전력-최대 | 400mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 250mA |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-253-4, TO-253AA |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-143B |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V 주파수-전환 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 6.2db ~ 7dB 전력-최대 575W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 30A 작동 온도 200°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 55AW 공급자 장치 패키지 55AW |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 3.5V 주파수-전환 22.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz 이득 16dB 전력-최대 50mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대) 15mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-343F 공급자 장치 패키지 4-MCPH |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V 주파수-전환 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득 20dB ~ 24dB 전력-최대 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
