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AT25DF641A-MH-Y

AT25DF641A-MH-Y

참조 용

부품 번호 AT25DF641A-MH-Y
PNEDA 부품 번호 AT25DF641A-MH-Y
설명 IC FLASH 64M SPI 100MHZ 8UDFN
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT25DF641A-MH-Y 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT25DF641A-MH-Y
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT25DF641A-MH-Y, AT25DF641A-MH-Y 데이터 시트 (총 페이지: 57, 크기: 2,080.94 KB)
PDFAT25DF641A-MH-T 데이터 시트 표지
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  • AT25DF641A-MH-Y Distributor

AT25DF641A-MH-Y 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기64Mb (256 Bytes x 32K pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지30µs, 6ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-UDFN (5x6)

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Micron Technology Inc.

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

120ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

IS43LD32640B-18BL-TR

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-TFBGA

공급자 장치 패키지

134-TFBGA (10x11.5)

MT28F320J3FS-11 MET TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-FBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (10x13)

70V7339S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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