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AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

참조 용

부품 번호 AS4C256M16D3-12BCN
PNEDA 부품 번호 AS4C256M16D3-12BCN
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 7,686
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C256M16D3-12BCN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C256M16D3-12BCN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C256M16D3-12BCN, AS4C256M16D3-12BCN 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 2,077.86 KB)
PDFAS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 표지
AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C256M16D3-12BINTR 데이터 시트 페이지 11

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AS4C256M16D3-12BCN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (9x13)

관심을 가질만한 제품

FM93C46ALM8

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

250kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

STK22C48-SF45TR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FT24C02A-UMR-B

Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

GD25LQ40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 2.4ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2.1V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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