APTM100H80FT1G
참조 용
| 부품 번호 | APTM100H80FT1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100H80FT1G |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,568 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM100H80FT1G 리소스
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APTM100H80FT1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| 전력-최대 | 208W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 55A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 98nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900pF @ 1000V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
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