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APT58M50JU2

APT58M50JU2

참조 용

부품 번호 APT58M50JU2
PNEDA 부품 번호 APT58M50JU2
설명 MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT58M50JU2 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT58M50JU2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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APT58M50JU2 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 8™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs65mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs340nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10800pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)543W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

939pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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패키지 / 케이스

ISOWATT218FX

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.55Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

381pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PW-MOLD

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR4510TRPBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

56A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3031pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

143W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

829.9pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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