AON4807
참조 용
| 부품 번호 | AON4807 |
| PNEDA 부품 번호 | AON4807 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,914 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 3 - 7월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON4807 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON4807 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AON4807 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.9W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (3x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 755pF @ 25V 전력-최대 2.4W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.4A, 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 70pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 TUMT6 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 10mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 490nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9500pF @ 1000V 전력-최대 1100W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-3 Module 공급자 장치 패키지 D3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.6nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 275pF @ 15V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 PG-TSOP-6-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
