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BSL306NL6327HTSA1

BSL306NL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSL306NL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL306NL6327HTSA1
설명 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,538
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSL306NL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL306NL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BSL306NL6327HTSA1 Distributor

BSL306NL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds275pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

관심을 가질만한 제품

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

149A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

29600pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

TSM6968DCA RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 10V

전력-최대

1.04W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

NTLLD4951NFTWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 6.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

605pF @ 15V

전력-최대

800mW, 810mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3x3)

NTMFD4902NFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.3A, 13.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

1.1W, 1.16W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

DMTH4011SPD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.1A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

805pF @ 20V

전력-최대

2.6W (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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