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AO6802

AO6802

참조 용

부품 번호 AO6802
PNEDA 부품 번호 AO6802
설명 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 3 - 7월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO6802 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO6802
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO6802, AO6802 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 199.82 KB)
PDFAO6802L_001 데이터 시트 표지
AO6802L_001 데이터 시트 페이지 2 AO6802L_001 데이터 시트 페이지 3 AO6802L_001 데이터 시트 페이지 4 AO6802L_001 데이터 시트 페이지 5

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AO6802 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 15V
전력-최대1.15W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지6-TSOP

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Diodes Incorporated

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

405pF @ 50V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

NTMFD4902NFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.3A, 13.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

1.1W, 1.16W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

APTM50DSK10T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

37A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4367pF @ 25V

전력-최대

312W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

DMG1023UVQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

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Surface Mount

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