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AO4406AL

AO4406AL

참조 용

부품 번호 AO4406AL
PNEDA 부품 번호 AO4406AL
설명 MOSFET N-CH 30V 8SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
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재고 있음 7,740
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4406AL 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4406AL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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AO4406AL 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds910pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOIC
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2220pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

46W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRF6637TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1330pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MP

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MP

CMF20120D

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-FET™

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90.8nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1915pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

215W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 135°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

IPP80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 280µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

930pF @ 500V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

84W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.8nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1814pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

62W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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