A2I25D025NR1
참조 용
| 부품 번호 | A2I25D025NR1 |
| PNEDA 부품 번호 | A2I25D025NR1 |
| 설명 | IC TRANS RF LDMOS |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,542 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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A2I25D025NR1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2I25D025NR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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A2I25D025NR1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 2.69GHz |
| 이득 | 31.9dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 59mA |
| 전원-출력 | 3.2W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | TO-270-17 Variant, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | TO-270WB-17 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 18.5dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 1.85A 전원-출력 220W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지 H-36260-2 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 6GHz 이득 15dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 - 전압-정격 120V 패키지 / 케이스 440166 공급자 장치 패키지 440166 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.99GHz 이득 15.9dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.8A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 H-33288-2 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득 21dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 900W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 H-36275-4 공급자 장치 패키지 H-36275-4 |
