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2SC2229-O(T6SHP1FM

2SC2229-O(T6SHP1FM

참조 용

부품 번호 2SC2229-O(T6SHP1FM
PNEDA 부품 번호 2SC2229-O-T6SHP1FM
설명 TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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2SC2229-O(T6SHP1FM 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC2229-O(T6SHP1FM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC2229-O(T6SHP1FM, 2SC2229-O(T6SHP1FM 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 138.76 KB)
PDF2SC2229-Y 데이터 시트 표지
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2SC2229-O(T6SHP1FM 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
전력-최대800mW
주파수-전환120MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

전력-최대

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45V

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SB1302T-TD-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 60mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

320MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

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