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1N5228B_T50R

1N5228B_T50R

참조 용

부품 번호 1N5228B_T50R
PNEDA 부품 번호 1N5228B_T50R
설명 DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,534
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5228B_T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5228B_T50R
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5228B_T50R, 1N5228B_T50R 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 307.56 KB)
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1N5228B_T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.9V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)23 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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36V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

BZD17C11P RUG

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5.45%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 8.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

UDZVTE-179.1B

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

-

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

UMD2

BZT52B8V2-G RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±2%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

700nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

BZD27B16P-M3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

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