BZT52B8V2-G RHG
참조 용
| 부품 번호 | BZT52B8V2-G RHG | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BZT52B8V2-G-RHG | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 204,309 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BZT52B8V2-G RHG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZT52B8V2-G RHG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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BZT52B8V2-G RHG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 8.2V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 410mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 15 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 700nA @ 5V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 900mV @ 10mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123 |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-123 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/127 전압-제너 (Nom) (Vz) 16V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 17 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 12V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 (DO-204AH) |
