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부품 번호	설명	재고 있음
CY7C2565XV18-633BZC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 633MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음125
AT28C010E-12DM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 32CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-CDIP	재고 있음7,185
CY7C2663KV18-550BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 144Mb (8M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 550MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음335
AT28C010-15DM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 32CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-CDIP	재고 있음680
AT28C010-25DM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 32CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 250ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-CDIP	재고 있음5,282
AT28C010-20FM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 32FLATPCK 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-CFlatpack 공급자 장치 패키지: 32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed	재고 있음327
AT28C010-25FM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 32FLATPCK 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 250ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-CFlatpack 공급자 장치 패키지: 32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed	재고 있음584
7025S35GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 84-BPGA 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)	재고 있음11
AT28C010-15LM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1MBIT 150NS 44CLCC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-CLCC 공급자 장치 패키지: 44-CLCC (16.55x16.55)	재고 있음128
CY7C25652KV18-550BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 550MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음92
CY7C1668KV18-450BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기: 144Mb (8M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 450MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음22
AT28C010-12LM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1MBIT 120NS 44CLCC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-CLCC 공급자 장치 패키지: 44-CLCC (16.55x16.55)	재고 있음1,855
7025L55GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 84-BPGA 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)	재고 있음585
CY7C4142KV13-933FCXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR IV 메모리 크기: 144Mb (4M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.26V ~ 1.34V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)	재고 있음792
CY7C1570KV18-550BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 550MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음84
CY7C1568KV18-550BZXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 550MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음2,489
7024L35GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 84PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 64Kb (4K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 84-BPGA 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)	재고 있음8,879
7025S55GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 84-BPGA 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)	재고 있음396
MT29E3T08EUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 3Tb (384G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,411
CY7C4042KV13-106FCXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 1066MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR IV 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.26V ~ 1.34V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)	재고 있음3,643
CY7C4022KV13-106FCXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 1066MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR IV 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.26V ~ 1.34V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)	재고 있음2,930
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Tb (256G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음134
CY7C4141KV13-633FCXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR IV 메모리 크기: 144Mb (4M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 633MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.26V ~ 1.34V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)	재고 있음4,699
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Tb (256G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음500
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 288Gb (4G x 72) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1467MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,260
AT28HC256F-90LM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 3ms 접근 시간: 90ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-CLCC 공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)	재고 있음40
70T653MS12BCGI IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-LBGA 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)	재고 있음68
CY7C15632KV18-400BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음262
CY7C15632KV18-450BZXC Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 450MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)	재고 있음301
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음1,870

CY7C2565XV18-633BZC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 633MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음125

AT28C010E-12DM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 32CDIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-CDIP

재고 있음7,185

CY7C2663KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 144Mb (8M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 550MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음335

AT28C010-15DM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 32CDIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-CDIP

재고 있음680

AT28C010-25DM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 32CDIP

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 250ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-CDIP

재고 있음5,282

AT28C010-20FM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 32FLATPCK

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-CFlatpack
공급자 장치 패키지: 32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

재고 있음327

AT28C010-25FM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 32FLATPCK

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 250ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-CFlatpack
공급자 장치 패키지: 32-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

재고 있음584

7025S35GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 84-BPGA
공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)

재고 있음11

AT28C010-15LM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1MBIT 150NS 44CLCC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-CLCC
공급자 장치 패키지: 44-CLCC (16.55x16.55)

재고 있음128

CY7C25652KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 550MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음92

CY7C1668KV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기: 144Mb (8M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 450MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음22

AT28C010-12LM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1MBIT 120NS 44CLCC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-CLCC
공급자 장치 패키지: 44-CLCC (16.55x16.55)

재고 있음1,855

7025L55GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 84-BPGA
공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)

재고 있음585

CY7C4142KV13-933FCXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR IV
메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.26V ~ 1.34V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)

재고 있음792

CY7C1570KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 550MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음84

CY7C1568KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 550MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음2,489

7024L35GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 84PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 84-BPGA
공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)

재고 있음8,879

7025S55GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 84-BPGA
공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)

재고 있음396

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 3Tb (384G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,411

CY7C4042KV13-106FCXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 1066MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR IV
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.26V ~ 1.34V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)

재고 있음3,643

CY7C4022KV13-106FCXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 1066MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR IV
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.26V ~ 1.34V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)

재고 있음2,930

MT29E2T08CUHBBM4-3:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Tb (256G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음134

CY7C4141KV13-633FCXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR IV
메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 633MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.26V ~ 1.34V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA
공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)

재고 있음4,699

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Tb (256G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음500

MTA36ASF4G72PZ-2G9E2

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 288Gb (4G x 72)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1467MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,260

AT28HC256F-90LM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 3ms
접근 시간: 90ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-CLCC
공급자 장치 패키지: 32-LCC (11.43x13.97)

재고 있음40

70T653MS12BCGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-LBGA
공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)

재고 있음68

CY7C15632KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음262

CY7C15632KV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 450MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

재고 있음301

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음1,870

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