Instant Offers

부품 번호	설명	재고 있음
DS1250YP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음1,769
DS1250ABP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음4,037
DS1249Y-85IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음4,808
DS1245Y-120IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,736
DS1245Y-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음1,321
DS1345YP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음733
DS1230Y-120IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음3
DS1230AB-150 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음480
DS1230W-150 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음550
DS1225AD-150IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음6,090
DS1230YP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음1,745
DS1230ABP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음3,678
DS1230ABP-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음6,979
DS1230YP-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음3,131
DS1245Y-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음570
DS1250Y-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음298
DS1230AB-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음2,766
DS1230Y-120 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음104
DS1245Y-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음3,822
AT29C010A-70JC Microchip Technology	기억 IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (13.97x11.43)	재고 있음1
SM668PXB-ACS Silicon Motion, Inc.	기억 FERRI-EMMC BGA 153-B EMMC 5.0 SL 제조업체: Silicon Motion, Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,150
SM662GEB-AC Silicon Motion, Inc.	기억 FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 5.0 ML 제조업체: Silicon Motion, Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,294
MB85R4002ANC-GE1 Fujitsu Electronics	기억 IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FRAM 기술: FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음413
LHF00L14 Sharp Microelectronics	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Sharp Microelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음1,584
MT43A4G40200NFA-S15:A Micron Technology Inc.	기억 HMC 16G NANA HBBGA QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	견적 요청
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Tb (512G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음597
CY7C2644KV18-333BZI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 144Mb (4M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)	재고 있음383
AT28C010-12UM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 30CPGA 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 30-BCPGA 공급자 장치 패키지: 30-CPGA (16.51x13.97)	재고 있음1,751
AT28C010-15UM/883 Microchip Technology	기억 IC EEPROM 1M PARALLEL 30CPGA 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 30-BCPGA 공급자 장치 패키지: 30-CPGA (16.51x13.97)	재고 있음199
7025L25GB IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 84-BPGA 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)	재고 있음138

DS1250YP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음1,769

DS1250ABP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음4,037

DS1249Y-85IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음4,808

DS1245Y-120IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,736

DS1245Y-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음1,321

DS1345YP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음733

DS1230Y-120IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음3

DS1230AB-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음480

DS1230W-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음550

DS1225AD-150IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음6,090

DS1230YP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음1,745

DS1230ABP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음3,678

DS1230ABP-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음6,979

DS1230YP-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음3,131

DS1245Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음570

DS1250Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음298

DS1230AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음2,766

DS1230Y-120

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음104

DS1245Y-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음3,822

AT29C010A-70JC

Microchip Technology

기억

IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 32-PLCC (13.97x11.43)

재고 있음1

SM668PXB-ACS

Silicon Motion, Inc.

기억

FERRI-EMMC BGA 153-B EMMC 5.0 SL

제조업체: Silicon Motion, Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,150

SM662GEB-AC

Silicon Motion, Inc.

기억

FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 5.0 ML

제조업체: Silicon Motion, Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,294

MB85R4002ANC-GE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FRAM
기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음413

LHF00L14

Sharp Microelectronics

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Sharp Microelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음1,584

MT43A4G40200NFA-S15:A

Micron Technology Inc.

기억

HMC 16G NANA HBBGA QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

견적 요청

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음597

CY7C2644KV18-333BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

재고 있음383

AT28C010-12UM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 30CPGA

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 30-BCPGA
공급자 장치 패키지: 30-CPGA (16.51x13.97)

재고 있음1,751

AT28C010-15UM/883

Microchip Technology

기억

IC EEPROM 1M PARALLEL 30CPGA

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 30-BCPGA
공급자 장치 패키지: 30-CPGA (16.51x13.97)

재고 있음199

7025L25GB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 84-BPGA
공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)

재고 있음138

Send Message

Certifications

Instant Offers

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message