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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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수량
AO3406L_104
AO3406L_104

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음4,896
AO3406L_106
AO3406L_106

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT-23-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,068
AO3406L_107
AO3406L_107

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT-23-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,320
AO3407
AO3407

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,496
AO3407A
AO3407A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음338,118
AO3407L
AO3407L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,790
AO3409
AO3409

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음299,820
AO3409_103
AO3409_103

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음6,624
AO3409L
AO3409L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,788
AO3409L_102
AO3409L_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음5,166
AO3413
AO3413

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음27,918
AO3413L
AO3413L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,100
AO3413L_101
AO3413L_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음6,462
AO3414
AO3414

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 436pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,672,202
AO3414L
AO3414L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 20V 3A SOT23-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,640
AO3414L_105
AO3414L_105

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음4,482
AO3415
AO3415

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음3,816,348
AO3415_108
AO3415_108

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음4,284
AO3415A
AO3415A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음3,025,380
AO3415AL_103
AO3415AL_103

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음7,848
AO3415L_107
AO3415L_107

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음6,390
AO3415L_108
AO3415L_108

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음5,670
AO3416
AO3416

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음7,776
AO3416_104
AO3416_104

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음2,052
AO3416L
AO3416L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음3,420
AO3416L_102
AO3416L_102

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음2,358
AO3416L_103
AO3416L_103

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±8V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1160pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,014
AO3418
AO3418

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음1,104,480
AO3418_101
AO3418_101

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음2,466
AO3418L
AO3418L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT23

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,374