트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SK4144(01)-S6-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,880
2SK4150TZ-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음3,474
2SK4151TZ-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 98pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음4,770
2SK4171 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 75W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,220
2SK4177-DL-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음19,908
2SK4177-DL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMP-FD 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,086
2SK4177-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMP-FD 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,176
2SK4196LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,200
2SK4196LS-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,176
2SK4197FS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,978
2SK4197LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,984
2SK4198FS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,502
2SK4198LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,934
2SK4209 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.08Ohm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 190W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PB 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,662
2SK4210 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 190W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PB 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,696
2SK4221 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 220W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PB 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,582
2SK4222 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 220W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PB 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,390
2SK536-MTK-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 0.1A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CP 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,628
2SK536-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 0.1A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,428
2V7002KT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.5pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음316,320
2V7002LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,076,684
2V7002LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V .115A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음797,736
2V7002WT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.5pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 280mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323) 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음94,038
3LN01C-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CP 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,100
3LN01C-TB-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CP 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,726
3LN01M-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.15A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70/MCPH3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,176
3LN01M-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 150MA MCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70/MCPH3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,356
3LN01S-K-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.15A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMCP 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,124
3LN01SS-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-81 (SSFP) 패키지 / 케이스: SC-81	재고 있음5,526
3LN01SS-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMCP 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음6,588

2SK4144(01)-S6-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,880

2SK4150TZ-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음3,474

2SK4151TZ-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 1A TO-92

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 98pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음4,770

2SK4171

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,220

2SK4177-DL-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음19,908

2SK4177-DL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMP-FD
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,086

2SK4177-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMP-FD
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,176

2SK4196LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,200

2SK4196LS-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,176

2SK4197FS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,978

2SK4197LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 260pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,984

2SK4198FS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,502

2SK4198LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.34Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,934

2SK4209

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PB
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,662

2SK4210

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PB
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,696

2SK4221

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 220W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PB
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,582

2SK4222

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 220W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PB
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,390

2SK536-MTK-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.1A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CP
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,628

2SK536-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 0.1A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,428

2V7002KT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.5pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음316,320

2V7002LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,076,684

2V7002LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V .115A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음797,736

2V7002WT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 24.5pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 280mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음94,038

3LN01C-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CP
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,100

3LN01C-TB-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CP
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,726

3LN01M-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.15A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70/MCPH3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,176

3LN01M-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70/MCPH3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,356

3LN01S-K-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.15A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMCP
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,124

3LN01SS-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-81 (SSFP)
패키지 / 케이스: SC-81

재고 있음5,526

3LN01SS-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMCP
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음6,588

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