트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SK3402(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,274
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FL 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab	재고 있음3,996
2SK3408-T1B-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS N-CH CMPAK-4 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 43V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-96-3, Thin Mini Mold 패키지 / 케이스: SC-96	재고 있음5,328
2SK3430(02)-S6-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,424
2SK3430-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 84W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,526
2SK3430-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 84W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,568
2SK3431-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,192
2SK3431-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,824
2SK3435-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,014
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 267pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PW-MOLD 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,354
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-TFP (9.2x9.2) 패키지 / 케이스: SC-97	재고 있음3,204
2SK3480-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 84W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,822
2SK3481-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 56W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,974
2SK3482-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 (MP-3) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,294
2SK3483(0)-Z-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,412
2SK3483(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,410
2SK3483-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 (MP-3) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,064
2SK3484(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,446
2SK3484-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 (MP-3) 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,462
2SK353900L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-G1 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음7,740
2SK3539G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-F2 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음3,420
2SK3541T2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V .1A VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VMT3 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음767,352
2SK3546G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125mW (Ta) 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-F2 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음8,424
2SK3546J0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125mW (Ta) 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음5,562
2SK354700L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음2,106
2SK3547G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음8,424
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220SIS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음18,096
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220SIS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,328
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220SIS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,480
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5120pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220NIS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,356

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,274

2SK3403(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FL
패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab

재고 있음3,996

2SK3408-T1B-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS N-CH CMPAK-4

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 43V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-96-3, Thin Mini Mold
패키지 / 케이스: SC-96

재고 있음5,328

2SK3430(02)-S6-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,424

2SK3430-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,526

2SK3430-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,568

2SK3431-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,192

2SK3431-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,824

2SK3435-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,014

2SK3462(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 267pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PW-MOLD
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,354

2SK3466(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-TFP (9.2x9.2)
패키지 / 케이스: SC-97

재고 있음3,204

2SK3480-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,822

2SK3481-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 56W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,974

2SK3482-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251 (MP-3)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,294

2SK3483(0)-Z-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,412

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,410

2SK3483-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251 (MP-3)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,064

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,446

2SK3484-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251 (MP-3)
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,462

2SK353900L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-G1
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음7,740

2SK3539G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-F2
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음3,420

2SK3541T2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VMT3
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음767,352

2SK3546G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125mW (Ta)
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-F2
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음8,424

2SK3546J0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125mW (Ta)
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음5,562

2SK354700L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음2,106

2SK3547G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음8,424

2SK3564(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220SIS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음18,096

2SK3565(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220SIS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,328

2SK3566(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220SIS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,480

2SK3662(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5120pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220NIS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,356

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