트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
VRF191 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 12A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 270V 패키지 / 케이스: T11 공급자 장치 패키지: T11	재고 있음2,232
VRF191MP Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,338
VRF2933 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 150MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 2mA 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 170V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음370
VRF2933FL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 42A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 170V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음8,136
VRF2933MP Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 150MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 2mA 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 170V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음5,184
VRF2944 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSF RF N CH 170V 50A M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 50A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 400W 전압-정격: 170V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음3,024
VRF2944MP Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 170V 50A M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 25dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 50A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 400W 전압-정격: 170V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음8,244
VRF3933 Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSF RF N CH 250V 20A M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 20A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 300W 전압-정격: 250V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음5,706
VRF3933MP Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET RF N-CH 250V 20A M177 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 28dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 20A 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 350W 전압-정격: 250V 패키지 / 케이스: M177 공급자 장치 패키지: M177	재고 있음4,428
XF1001-SC-0G00 M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS HFET 1W SOT89 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 6GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 450mA 소음 수치: 4.5dB 현재-테스트: 300mA 전원-출력: - 전압-정격: 9V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음6,354
XF1001-SC-0G0T M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS HFET 1W SOT89 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 6GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 8V 전류 정격 (Amps): 450mA 소음 수치: 4.5dB 현재-테스트: 300mA 전원-출력: - 전압-정격: 9V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음3,598
1HN04CH-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,276
1HP04CH-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음24,228
2N6660 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음5,688
2N6660 Microchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음6,516
2N6660-2 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음7,380
2N6660-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음7,308
2N6660JTVP02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음3,672
2N6660JTX02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음3,078
2N6660JTXL02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음3,420
2N6660JTXP02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음7,128
2N6660JTXV02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39) 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음4,212
2N6661 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음4,590
2N6661 Microchip Technology	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음11,292
2N6661-2 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음3,798
2N6661-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음3,258
2N6661JAN02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음5,364
2N6661JTVP02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음6,534
2N6661JTX02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음4,770
2N6661JTXL02 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 90V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-39 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	재고 있음3,042

VRF191

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 100V 150W T11

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 100V
전류 정격 (Amps): 12A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 270V
패키지 / 케이스: T11
공급자 장치 패키지: T11

재고 있음2,232

VRF191MP

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 100V 150W T11

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,338

VRF2933

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 150MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 2mA
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 170V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음370

VRF2933FL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 42A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 170V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음8,136

VRF2933MP

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 150MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 2mA
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 170V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음5,184

VRF2944

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSF RF N CH 170V 50A M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 50A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 400W
전압-정격: 170V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음3,024

VRF2944MP

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 170V 50A M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 25dB
전압-테스트: 50V
전류 정격 (Amps): 50A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 400W
전압-정격: 170V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음8,244

VRF3933

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSF RF N CH 250V 20A M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 100V
전류 정격 (Amps): 20A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 300W
전압-정격: 250V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음5,706

VRF3933MP

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET RF N-CH 250V 20A M177

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 30MHz
이득: 28dB
전압-테스트: 100V
전류 정격 (Amps): 20A
소음 수치: -
현재-테스트: 250mA
전원-출력: 350W
전압-정격: 250V
패키지 / 케이스: M177
공급자 장치 패키지: M177

재고 있음4,428

XF1001-SC-0G00

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANS HFET 1W SOT89

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HFET
주파수: 6GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 450mA
소음 수치: 4.5dB
현재-테스트: 300mA
전원-출력: -
전압-정격: 9V
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음6,354

XF1001-SC-0G0T

M/A-Com Technology Solutions

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

TRANS HFET 1W SOT89

제조업체: M/A-Com Technology Solutions
시리즈: -
트랜지스터 유형: HFET
주파수: 6GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 8V
전류 정격 (Amps): 450mA
소음 수치: 4.5dB
현재-테스트: 300mA
전원-출력: -
전압-정격: 9V
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음3,598

1HN04CH-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 270mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,276

1HP04CH-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 80mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음24,228

2N6660

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음5,688

2N6660

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 410mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음6,516

2N6660-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음7,380

2N6660-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음7,308

2N6660JTVP02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음3,672

2N6660JTX02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음3,078

2N6660JTXL02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음3,420

2N6660JTXP02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음7,128

2N6660JTXV02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 990mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-205AD (TO-39)
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음4,212

2N6661

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음4,590

2N6661

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39

제조업체: Microchip Technology
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음11,292

2N6661-2

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음3,798

2N6661-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음3,258

2N6661JAN02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음5,364

2N6661JTVP02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음6,534

2N6661JTX02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음4,770

2N6661JTXL02

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-39
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

재고 있음3,042

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