트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PBRN123ET,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 280 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음21,816
PBRN123YK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음7,884
PBRN123YS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 700mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,976
PBRN123YT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음155,346
PBRP113ES,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,136
PBRP113ET,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음7,056
PBRP113ZS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,508
PBRP113ZT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음28,968
PBRP123ES,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,030
PBRP123ET,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음2,718
PBRP123YS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,334
PBRP123YT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음7,002
PDTA113EE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음3,654
PDTA113EK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음8,136
PDTA113EM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음2,952
PDTA113EMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음7,506
PDTA113ES,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,248
PDTA113ET,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음8,442
PDTA113EU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음8,406
PDTA113ZE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음8,550
PDTA113ZK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음7,776
PDTA113ZM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음6,372
PDTA113ZMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음3,454
PDTA113ZS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,960
PDTA113ZT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100mA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음4,482
PDTA113ZU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음4,662
PDTA114EE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음6,120
PDTA114EEAF NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음3,636
PDTA114EK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음2,952
PDTA114EM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음7,020

PBRN123ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 280 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음21,816

PBRN123YK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음7,884

PBRN123YS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 700mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,976

PBRN123YT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음155,346

PBRP113ES,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,136

PBRP113ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음7,056

PBRP113ZS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,508

PBRP113ZT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음28,968

PBRP123ES,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,030

PBRP123ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음2,718

PBRP123YS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,334

PBRP123YT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 300mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 6mA, 600mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음7,002

PDTA113EE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음3,654

PDTA113EK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음8,136

PDTA113EM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음2,952

PDTA113EMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음7,506

PDTA113ES,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,248

PDTA113ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음8,442

PDTA113EU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음8,406

PDTA113ZE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음8,550

PDTA113ZK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음7,776

PDTA113ZM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음6,372

PDTA113ZMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음3,454

PDTA113ZS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,960

PDTA113ZT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100mA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음4,482

PDTA113ZU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음4,662

PDTA114EE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음6,120

PDTA114EEAF

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음3,636

PDTA114EK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음2,952

PDTA114EM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음7,020

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