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트랜지스터

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부품 번호
설명
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DDTA143XE-7-F
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Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음8,838
DDTA143XKA-7-F
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Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SC-59-3
재고 있음8,766
DDTA143XUA-7
DDTA143XUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음6,426
DDTA143XUA-7-F
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Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음48,084
DDTA143ZCA-7
DDTA143ZCA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음5,184
DDTA143ZCA-7-F
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Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음4,662
DDTA143ZE-7
DDTA143ZE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음3,654
DDTA143ZE-7-F
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Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음51,582
DDTA143ZKA-7-F
DDTA143ZKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SC-59-3
재고 있음5,040
DDTA143ZUA-7
DDTA143ZUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음7,164
DDTA143ZUA-7-F
DDTA143ZUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음7,758
DDTA144ECA-7
DDTA144ECA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음3,006
DDTA144ECA-7-F
DDTA144ECA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음3,312
DDTA144EE-7
DDTA144EE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음4,950
DDTA144EE-7-F
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Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음6,228
DDTA144EKA-7-F
DDTA144EKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SC-59-3
재고 있음3,436
DDTA144ELP-7
DDTA144ELP-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XFDFN
  • 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
재고 있음23,892
DDTA144EUA-7
DDTA144EUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음5,670
DDTA144EUA-7-F
DDTA144EUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음3,906
DDTA144GCA-7
DDTA144GCA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음4,680
DDTA144GCA-7-F
DDTA144GCA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음1,676,964
DDTA144GE-7
DDTA144GE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음8,334
DDTA144GE-7-F
DDTA144GE-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음58,404
DDTA144GKA-7-F
DDTA144GKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SC-59-3
재고 있음7,668
DDTA144GUA-7
DDTA144GUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음5,886
DDTA144GUA-7-F
DDTA144GUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음55,272
DDTA144TCA-7
DDTA144TCA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음4,590
DDTA144TCA-7-F
DDTA144TCA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음3,204
DDTA144TE-7
DDTA144TE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음6,534
DDTA144TE-7-F
DDTA144TE-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음25,434