트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZX5T955ZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음5,562
ZXT1053AKTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 75V 5A D-PAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 4.4W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-3	재고 있음272,796
ZXT10N15DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 4A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음26,352
ZXT10N15DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 4A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음2,088
ZXT10N20DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음4,284
ZXT10N20DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음4,230
ZXT10N50DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 165MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음29,484
ZXT10N50DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 165MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음3,888
ZXT10P12DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 3A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음7,308
ZXT10P12DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 3A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음8,082
ZXT10P20DE6QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,688
ZXT10P20DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음5,364
ZXT10P20DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음3,834
ZXT10P40DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 2A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음26,214
ZXT10P40DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 2A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음6,858
ZXT11N15DFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,618
ZXT11N15DFTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,664
ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,536
ZXT11N20DFTC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,244
ZXT13N15DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 72MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음7,326
ZXT13N15DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 72MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음3,168
ZXT13N20DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 96MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음7,812
ZXT13N20DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 96MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음5,616
ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 4A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 115MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음77,076
ZXT13P12DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 55MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음7,056
ZXT13P12DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 55MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음6,642
ZXT13P20DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 4A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 90MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음43,626
ZXT13P20DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 4A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 90MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음3,186
ZXT13P40DE6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 115MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음796,680
ZXT13P40DE6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 115MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음3,312

ZX5T955ZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음5,562

ZXT1053AKTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 75V 5A D-PAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 4.4W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-3

재고 있음272,796

ZXT10N15DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음26,352

ZXT10N15DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음2,088

ZXT10N20DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음4,284

ZXT10N20DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음4,230

ZXT10N50DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 165MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음29,484

ZXT10N50DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 165MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음3,888

ZXT10P12DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 3A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음7,308

ZXT10P12DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 3A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음8,082

ZXT10P20DE6QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,688

ZXT10P20DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음5,364

ZXT10P20DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음3,834

ZXT10P40DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 2A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음26,214

ZXT10P40DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 2A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음6,858

ZXT11N15DFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,618

ZXT11N15DFTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,664

ZXT11N20DFTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,536

ZXT11N20DFTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,244

ZXT13N15DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 72MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음7,326

ZXT13N15DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 72MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음3,168

ZXT13N20DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 96MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음7,812

ZXT13N20DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 96MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음5,616

ZXT13N50DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 115MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음77,076

ZXT13P12DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 55MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음7,056

ZXT13P12DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 175mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 55MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-23-6

재고 있음6,642

ZXT13P20DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 90MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음43,626

ZXT13P20DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 4A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 90MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음3,186

ZXT13P40DE6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 115MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음796,680

ZXT13P40DE6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 115MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음3,312

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