트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TIP48TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,158
TIP49 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,556
TIP49 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,696
TIP49 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음10,524
TIP49 SL Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,578
TIP49 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,186
TIP49TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,932
TIP50 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,722
TIP50 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음18,924
TIP50G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음33,816
TIP50-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-220 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,492
TIP50TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,568
TIPL760B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1100V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,598
TIPL760C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 550V 4A TO220 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400µA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 12MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,322
TIPL760-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 12MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,328
TIPL761A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 4A SOT-93 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음2,952
TIPL761B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 4A SOT-93 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500µA, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 12MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음8,478
TIPL761C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 550V 4A SOT-93 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 12MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음6,732
TIPL761-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 12MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음5,778
TIPL762A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 6A SOT-63 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.2A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 120W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음2,664
TIPL762-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.2A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 120W 주파수-전환: 6MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음8,208
TIPL765A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 10A SOT-93 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음2,268
TIPL765-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 10A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음6,318
TIPL770-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 2.5A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 12MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,388
TIPL791A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 4A TO-220 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,896
TIPL791-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 400V 4A TO-220 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,938
TIS93 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,480
TIS93_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,014
TIS97 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,482
TIS97_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,460

TIP48TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,158

TIP49

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,556

TIP49

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,696

TIP49

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음10,524

TIP49 SL

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,578

TIP49 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,186

TIP49TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,932

TIP50

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,722

TIP50

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음18,924

TIP50G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음33,816

TIP50-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-220

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,492

TIP50TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,568

TIPL760B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1100V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,598

TIPL760C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 550V 4A TO220

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400µA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 12MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,322

TIPL760-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 12MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,328

TIPL761A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 4A SOT-93

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음2,952

TIPL761B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 4A SOT-93

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500µA, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 12MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음8,478

TIPL761C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 550V 4A SOT-93

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 12MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음6,732

TIPL761-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 12MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음5,778

TIPL762A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 6A SOT-63

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.2A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 120W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음2,664

TIPL762-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.2A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 120W
주파수-전환: 6MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음8,208

TIPL765A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 10A SOT-93

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음2,268

TIPL765-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 10A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음6,318

TIPL770-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 2.5A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 12MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,388

TIPL791A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 4A TO-220

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,896

TIPL791-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 400V 4A TO-220

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,938

TIS93

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,480

TIS93_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,014

TIS97

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,482

TIS97_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

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