트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PMST5401,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 0.3A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음3,240
PMST5401,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 0.3A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음5,814
PMST5550,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.3A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음146,712
PMST5550,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.3A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음7,056
PMST5551,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 0.3A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음24,096
PMST6428,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 700MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음6,912
PMST6428,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 700MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음7,290
PMST6429,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 700MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음6,696
PMSTA05,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.5A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음7,326
PMSTA06,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음560,076
PMSTA3904,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.2A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음8,226
PMSTA3904,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.2A SOT323 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음7,470
PMSTA42,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.1A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음50,748
PMSTA55,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.5A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음6,030
PMSTA56,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 0.5A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음2,826
PMSTA56/8X Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PMSTA56/8/SOT323/SC-70 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음8,874
PMSTA92,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.1A SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음3,150
PN100 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,142
PN100A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,742
PN100A_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,274
PN100A_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,830
PN100A_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,250
PN100A_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,772
PN100_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,502
PN100_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,496
PN100_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,524
PN100_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,698
PN100_G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,556
PN100RM ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,910
PN200 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,880

PMST5401,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 0.3A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음3,240

PMST5401,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 0.3A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음5,814

PMST5550,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.3A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음146,712

PMST5550,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.3A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음7,056

PMST5551,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 0.3A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음24,096

PMST6428,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 700MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음6,912

PMST6428,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 700MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음7,290

PMST6429,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 700MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음6,696

PMSTA05,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.5A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음7,326

PMSTA06,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음560,076

PMSTA3904,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음8,226

PMSTA3904,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT323

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음7,470

PMSTA42,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.1A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음50,748

PMSTA55,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.5A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음6,030

PMSTA56,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 0.5A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음2,826

PMSTA56/8X

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PMSTA56/8/SOT323/SC-70

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음8,874

PMSTA92,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.1A SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음3,150

PN100

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,142

PN100A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,742

PN100A_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,274

PN100A_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,830

PN100A_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,250

PN100A_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,772

PN100_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,502

PN100_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,496

PN100_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,524

PN100_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,698

PN100_G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,556

PN100RM

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,910

PN200

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,880

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