트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
KSB811GTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음5,868
KSB811OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음5,040
KSB811OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음3,436
KSB811YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음7,866
KSB811YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음7,578
KSB834O ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,994
KSB834WYTM ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A D2-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D²PAK	재고 있음20,724
KSB834Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,814
KSB834YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,202
KSB906YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음4,770
KSB907TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 40V 3A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V 전력-최대: 15W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음5,310
KSC1008COBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,024
KSC1008COTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,514
KSC1008CYBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,400
KSC1008CYTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음42,414
KSC1008GBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,624
KSC1008GTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,562
KSC1008OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,312
KSC1008OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,578
KSC1008RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,606
KSC1008RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,122
KSC1008YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음287,112
KSC1008YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,920
KSC1008YTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,362
KSC1009CYBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,520
KSC1009CYTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,434
KSC1009GBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,958
KSC1009GTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,544
KSC1009OBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,718
KSC1009OTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 0.7A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,568

KSB811GTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음5,868

KSB811OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음5,040

KSB811OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음3,436

KSB811YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음7,866

KSB811YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음7,578

KSB834O

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,994

KSB834WYTM

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A D2-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D²PAK

재고 있음20,724

KSB834Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,814

KSB834YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,202

KSB906YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음4,770

KSB907TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 40V 3A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
전력-최대: 15W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음5,310

KSC1008COBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,024

KSC1008COTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,514

KSC1008CYBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,400

KSC1008CYTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음42,414

KSC1008GBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,624

KSC1008GTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,562

KSC1008OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,312

KSC1008OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,578

KSC1008RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,606

KSC1008RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,122

KSC1008YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음287,112

KSC1008YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,920

KSC1008YTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,362

KSC1009CYBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,520

KSC1009CYTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,434

KSC1009GBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,958

KSC1009GTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,544

KSC1009OBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,718

KSC1009OTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,568

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