트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
JANTX2N3997 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO111 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-111	재고 있음2,322
JANTX2N3998 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음6,012
JANTX2N3999 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음7,524
JANTX2N4029 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A TO18 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음7,524
JANTX2N4033 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음7,218
JANTX2N4033UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음5,220
JANTX2N4150 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 70V 10A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음2,430
JANTX2N4150S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 70V 10A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,600
JANTX2N4234 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,096
JANTX2N4235 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음6,426
JANTX2N4236 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,924
JANTX2N4237 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음3,418
JANTX2N4238 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음7,308
JANTX2N4239 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A TO39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음8,208
JANTX2N4261 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음5,292
JANTX2N4261UB Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: UB	재고 있음5,814
JANTX2N4399 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 30A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)	재고 있음6,444
JANTX2N4405 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음3,582
JANTX2N4449 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 400nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V 전력-최대: 360mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음5,346
JANTX2N4931 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 0.2A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/397 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,338
JANTX2N5002 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음7,344
JANTX2N5003 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/535 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음5,310
JANTX2N5004 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A TO59 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud 공급자 장치 패키지: TO-59	재고 있음2,106
JANTX2N5012 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음4,086
JANTX2N5012S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음7,470
JANTX2N5013 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음6,336
JANTX2N5013S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음6,426
JANTX2N5014 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음2,052
JANTX2N5014S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,500
JANTX2N5015 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음3,456

JANTX2N3997

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO111

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-111-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-111

재고 있음2,322

JANTX2N3998

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음6,012

JANTX2N3999

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/374
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음7,524

JANTX2N4029

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A TO18

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음7,524

JANTX2N4033

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음7,218

JANTX2N4033UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/512
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음5,220

JANTX2N4150

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 70V 10A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음2,430

JANTX2N4150S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 70V 10A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/394
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,600

JANTX2N4234

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,096

JANTX2N4235

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/580
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음6,426

JANTX2N4236

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,924

JANTX2N4237

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음3,418

JANTX2N4238

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음7,308

JANTX2N4239

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A TO39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/581
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음8,208

JANTX2N4261

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 0.03A TO-72

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-72-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음5,292

JANTX2N4261UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/511
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: UB

재고 있음5,814

JANTX2N4399

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 30A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3 (TO-204AA)

재고 있음6,444

JANTX2N4405

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음3,582

JANTX2N4449

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
전력-최대: 360mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음5,346

JANTX2N4931

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 0.2A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/397
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,338

JANTX2N5002

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음7,344

JANTX2N5003

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/535
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음5,310

JANTX2N5004

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A TO59

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/534
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: TO-210AA, TO-59-4, Stud
공급자 장치 패키지: TO-59

재고 있음2,106

JANTX2N5012

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음4,086

JANTX2N5012S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음7,470

JANTX2N5013

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음6,336

JANTX2N5013S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음6,426

JANTX2N5014

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음2,052

JANTX2N5014S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,500

JANTX2N5015

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/727
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음3,456

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