트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGT75H60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,186
APTGT75H60T2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음2,628
APTGT75H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,004
APTGT75SK120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 110A 357W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,992
APTGT75SK120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 110A 357W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,254
APTGT75SK120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 110A 357W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,046
APTGT75SK170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 120A 520W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,398
APTGT75SK60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 100A 250W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,484
APTGT75TA120PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,284
APTGT75TA60PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,860
APTGT75TDU120PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Triple, Dual - Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음2,610
APTGT75TDU60PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Triple, Dual - Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,022
APTGT75TL60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,208
APTGT75X60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,650
APTGTQ100A65T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,840
APTGTQ100DA65T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,786
APTGTQ100DDA65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음4,122
APTGTQ100H65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음2,466
APTGTQ100SK65T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,010
APTGTQ150TA65TPG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 365W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,650
APTGTQ200A65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 483W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음4,950
APTGTQ200DA65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 483W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음8,100
APTGTQ200SK65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 483W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음6,858
APTGTQ50TA65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 125W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음4,770
APTGV100H60BTPG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Boost Chopper, Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음2,250
APTGV100H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,786
APTGV15H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 115W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,816
APTGV25H120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Boost Chopper, Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 156W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,614
APTGV25H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 156W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,704
APTGV30H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,946

APTGT75H60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,186

APTGT75H60T2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음2,628

APTGT75H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,004

APTGT75SK120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 110A 357W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음7,992

APTGT75SK120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 110A 357W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,254

APTGT75SK120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 110A 357W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,046

APTGT75SK170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 120A 520W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음7,398

APTGT75SK60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 100A 250W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,484

APTGT75TA120PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,284

APTGT75TA60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,860

APTGT75TDU120PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Triple, Dual - Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음2,610

APTGT75TDU60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Triple, Dual - Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,022

APTGT75TL60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,208

APTGT75X60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,650

APTGTQ100A65T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,840

APTGTQ100DA65T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,786

APTGTQ100DDA65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음4,122

APTGTQ100H65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음2,466

APTGTQ100SK65T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,010

APTGTQ150TA65TPG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 365W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,650

APTGTQ200A65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 483W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음4,950

APTGTQ200DA65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 483W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음8,100

APTGTQ200SK65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 483W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음6,858

APTGTQ50TA65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 125W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음4,770

APTGV100H60BTPG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Boost Chopper, Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음2,250

APTGV100H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,786

APTGV15H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 115W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,816

APTGV25H120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Boost Chopper, Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 156W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,614

APTGV25H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 156W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,704

APTGV30H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,946

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