트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGT300DU60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,136
APTGT300H60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,168
APTGT300SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 440A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음7,416
APTGT300SK120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 420A 1380W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1380W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,628
APTGT300SK170D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 530A 1470W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A 전력-최대: 1470W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음2,178
APTGT300SK170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 400A 1660W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,910
APTGT300SK60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOPPER 600V 400A D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,230
APTGT300SK60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 430A 1150W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,606
APTGT300TL60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 935W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음228
APTGT300TL65G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 650V SP6C 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,708
APTGT30A170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음4,158
APTGT30A170T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,174
APTGT30A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,952
APTGT30DA170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 45A 210W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음2,358
APTGT30DA170T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 45A 210W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,456
APTGT30DDA60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,334
APTGT30DSK60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,498
APTGT30H170T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,762
APTGT30H60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,316
APTGT30H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,248
APTGT30SK170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 45A 210W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음5,868
APTGT30SK170T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 45A 210W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,388
APTGT30TL601G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 50A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,660
APTGT30TL60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 50A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,560
APTGT30X60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 90W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,932
APTGT35A120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 205W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,398
APTGT35A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,768
APTGT35DA120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 55A 205W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 205W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,020
APTGT35H120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,906
APTGT35H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,878

APTGT300DU60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,136

APTGT300H60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,168

APTGT300SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 440A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음7,416

APTGT300SK120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 420A 1380W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,628

APTGT300SK170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 530A 1470W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
전력-최대: 1470W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음2,178

APTGT300SK170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 400A 1660W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,910

APTGT300SK60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOPPER 600V 400A D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,230

APTGT300SK60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 430A 1150W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,606

APTGT300TL60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT 3LVL INVERT SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 935W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음228

APTGT300TL65G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 650V SP6C

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,708

APTGT30A170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음4,158

APTGT30A170T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,174

APTGT30A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,952

APTGT30DA170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 45A 210W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음2,358

APTGT30DA170T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 45A 210W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,456

APTGT30DDA60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,334

APTGT30DSK60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,498

APTGT30H170T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,762

APTGT30H60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,316

APTGT30H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,248

APTGT30SK170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 45A 210W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음5,868

APTGT30SK170T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 45A 210W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,388

APTGT30TL601G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 50A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,660

APTGT30TL60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 50A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,560

APTGT30X60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,932

APTGT35A120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 205W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음7,398

APTGT35A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,768

APTGT35DA120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 55A 205W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 205W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음7,020

APTGT35H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,906

APTGT35H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,878

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