트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
UPA2394T1P-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,370
UPA2396T1P-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,942
UPA2600T1R-E2-AX Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 7A 6SON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-HUSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN	재고 있음8,424
UPA2630T1R-E2-AX Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 7A 6SON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 1.8V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-HUSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN	재고 있음5,256
UPA2631T1R-E2-AX Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6A 6SON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 1.8V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-HUSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN	재고 있음6,246
UPA2706GR-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,294
UPA2714GR(0)-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,426
UPA2735GR-E1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음2,340
UPA2736GR-E1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음4,662
UPA2737GR-E1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음2,322
UPA2738GR-E1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음5,832
UPA2739T1A-E2-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 23A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6050pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,642
UPA2752GR(1)-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,186
UPA2752GR-E1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,942
UPA2754GR(0)-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,438
UPA2764T1A-E2-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 130A 8SON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 35A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,632
UPA2765T1A-E2-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 32A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,294
UPA2766T1A-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 130A 8SON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.82mOhm @ 39A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 257nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10850pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,022
UPA2766T1A-E2-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.82mOhm @ 39A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 257nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10850pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,046
UPA2770GR(0)-E1-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,070
UPA2782GR-E1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,544
UPA2792GR(0)-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,928
UPA2793GR(01)-E2-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,066
UPA2793GR(0)-E2-AY Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,230
UPA2794GR(0)-E1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,934
UPA2812T1L-E1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3740pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HVSON (3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,286
UPA2812T1L-E2-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3740pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HWSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,744
UPA2813T1L-E1-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HVSON (3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,788
UPA2813T1L-E2-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HWSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,506
UPA2814T1S-E2-AT Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-HWSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,786

UPA2394T1P-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,370

UPA2396T1P-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,942

UPA2600T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 7A 6SON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 3.5A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-HUSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

재고 있음8,424

UPA2630T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 7A 6SON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.5A, 1.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-HUSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

재고 있음5,256

UPA2631T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A 6SON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 1.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-HUSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

재고 있음6,246

UPA2706GR-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,294

UPA2714GR(0)-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,426

UPA2735GR-E1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음2,340

UPA2736GR-E1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음4,662

UPA2737GR-E1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음2,322

UPA2738GR-E1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음5,832

UPA2739T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6050pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,642

UPA2752GR(1)-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,186

UPA2752GR-E1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,942

UPA2754GR(0)-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,438

UPA2764T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 130A 8SON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 35A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,632

UPA2765T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 32A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 152nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,294

UPA2766T1A-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 130A 8SON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.82mOhm @ 39A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 257nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10850pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,022

UPA2766T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.82mOhm @ 39A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 257nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10850pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HVSON (5.4x5.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,046

UPA2770GR(0)-E1-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,070

UPA2782GR-E1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,544

UPA2792GR(0)-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,928

UPA2793GR(01)-E2-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,066

UPA2793GR(0)-E2-AY

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,230

UPA2794GR(0)-E1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,934

UPA2812T1L-E1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3740pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HVSON (3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,286

UPA2812T1L-E2-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3740pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HWSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,744

UPA2813T1L-E1-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HVSON (3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,788

UPA2813T1L-E2-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HWSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,506

UPA2814T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-HWSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,786

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