트랜지스터

STP40N20

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 40A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 160W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 32A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2355pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40NF03L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40NF10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 50A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2180pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40NF10L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 40A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V
• Vgs (최대): ±17V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40NF12

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 40A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40NF20

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 40A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 160W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP40NS15

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 40A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MESH OVERLAY™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 140W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP410N4F7AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 365W (Tc)
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP42N60M2-EP

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2-EP
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP42N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 33A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4650pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP43N60DM2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34A

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ DM2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP45N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 45A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP45N40DM2AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 38A

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

STP45N60DM2AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 34A

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

STP45N60DM6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ DM6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1920pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 210W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP45N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 35A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3375pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 210W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP45NE06

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 45A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

STP45NF06

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 38A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP45NF3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 45A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP46N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V 0.085 OHM TYP. 3

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP46NF30

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 300V 42A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP4LN80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 122pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP4N150

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 160W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP4N52K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH3™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 334pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP4N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH3™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP4N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP4N90K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 173pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP4NB100

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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