트랜지스터

GP2M005A060FG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 658pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 32.8W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M005A060HG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 658pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 98.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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GP2M005A060PG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 658pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 98.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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GP2M005A060PGH

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 658pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 98.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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GP2M007A065HG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1072pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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GP2M007A080F

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1410pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M008A060CG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D-Pak
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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GP2M008A060FG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 39W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M008A060FGH

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 39W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M008A060HG

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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GP2M008A060PG

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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GP2M008A060PGH

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1063pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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GP2M009A090FG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2740pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 89W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M009A090NG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2740pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 312W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3PN
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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GP2M010A060F

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M010A060H

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 198W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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GP2M010A065F

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 4.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M010A065H

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 4.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 198W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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GP2M011A090NG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 416W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3PN
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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GP2M012A060F

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 53.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M012A060H

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 231W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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GP2M012A080NG

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3370pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 416W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3PN
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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GP2M013A050F

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1798pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M020A050F

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2880pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 48W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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GP2M020A050H

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 18A TO220

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2880pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 290W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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GP2M020A050N

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2880pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 312W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3PN
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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GP2M020A060N

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3184pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 347W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3PN
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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GP2M023A050N

Global Power Technologies Group

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

• 제조업체: Global Power Technologies Group
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3270pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 347W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3PN
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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GWS4618L

Renesas Electronics America Inc.

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH LGA

• 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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H5N2007LSTL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH HS SW TO-263

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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