트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FQU7P06TU_NB82048 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,316
FQU7P20TU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,248
FQU7P20TU_AM002 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,788
FQU8N25TU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,286
FQU8P10TU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 44W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음36,540
FQU9N25TU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음49,710
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) (95°C) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 15W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,556
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) (95°C) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,172
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 100V 9A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-46 패키지 / 케이스: TO-46-3	재고 있음6,156
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 300V 9A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-46 패키지 / 케이스: TO-46-3	재고 있음4,752
GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 5A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,896
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 15A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 106W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음20,400
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) (90°C) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 6A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,194
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) (90°C) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음14,616
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 160A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 535W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,334
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1700V 160A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 535W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음8,694
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1.2KV 10A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,020
GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 25A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1403pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음17,196
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1403pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음8,496
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) (90°C) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 282W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음8,460
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1.2KV 20A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 282W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,862
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 45A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3091pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 282W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음7,794
GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1200V 45A TO247 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3091pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 282W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,074
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 600V 100A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 769W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-258 패키지 / 케이스: TO-258-3, TO-258AA	재고 있음6,300
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1.2KV 50A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7209pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 583W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247AB 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,024
GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,562
GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS SJT 1.7KV 100A 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 583W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,358
GKI03026 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4010pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,580
GKI03039 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 47.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,904
GKI03061 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,196

FQU7P06TU_NB82048

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,316

FQU7P20TU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,248

FQU7P20TU_AM002

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,788

FQU8N25TU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,286

FQU8P10TU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음36,540

FQU9N25TU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음49,710

GA03JT12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) (95°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 15W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,556

GA04JT17-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) (95°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,172

GA05JT01-46

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 100V 9A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-46
패키지 / 케이스: TO-46-3

재고 있음6,156

GA05JT03-46

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 300V 9A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-46
패키지 / 케이스: TO-46-3

재고 있음4,752

GA05JT12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 5A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,896

GA05JT12-263

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 15A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 106W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음20,400

GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) (90°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 6A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,194

GA08JT17-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) (90°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음14,616

GA100JT12-227

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 535W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,334

GA100JT17-227

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1700V 160A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14400pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 535W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음8,694

GA10JT12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1.2KV 10A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,020

GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 25A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1403pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음17,196

GA10SICP12-263

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1403pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음8,496

GA16JT17-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) (90°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 282W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음8,460

GA20JT12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1.2KV 20A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 282W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,862

GA20JT12-263

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 45A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3091pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 282W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음7,794

GA20SICP12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1200V 45A TO247

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3091pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 282W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,074

GA50JT06-258

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 600V 100A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 769W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 225°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-258
패키지 / 케이스: TO-258-3, TO-258AA

재고 있음6,300

GA50JT12-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1.2KV 50A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7209pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 583W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247AB
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,024

GA50JT12-263

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,562

GA50JT17-247

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS SJT 1.7KV 100A

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 583W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,358

GKI03026

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4010pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,580

GKI03039

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 47.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,904

GKI03061

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,196

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