트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FQA55N25 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음16,056
FQA5N90 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 185W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,228
FQA5N90_F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 185W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,860
FQA62N25C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 298W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음9,228
FQA65N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 183W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,430
FQA65N20 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,044
FQA6N70 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 152W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,096
FQA6N80 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 185W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,574
FQA6N80_F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 185W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,248
FQA6N90 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,986
FQA6N90C-F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,468
FQA6N90_F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,986
FQA70N10 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음13,932
FQA70N15 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,830
FQA7N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 152W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,176
FQA7N80 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,466
FQA7N80C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,218
FQA7N80C-F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음10,716
FQA7N80_F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,520
FQA7N90 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,988
FQA7N90_F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 198W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,204
FQA7N90M ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음5,148
FQA7N90M_F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 210W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음8,046
FQA85N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,542
FQA8N100C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 225W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,824
FQA8N80C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 220W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,628
FQA8N80C_F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 220W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음5,706
FQA8N90C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 240W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,862
FQA8N90C-F109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 240W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음16,752
FQA90N08 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PN 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,020

FQA55N25

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음16,056

FQA5N90

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 185W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,228

FQA5N90_F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 185W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,860

FQA62N25C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 298W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음9,228

FQA65N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 183W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,430

FQA65N20

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,044

FQA6N70

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 152W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,096

FQA6N80

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 185W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,574

FQA6N80_F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 185W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,248

FQA6N90

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,986

FQA6N90C-F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,468

FQA6N90_F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,986

FQA70N10

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음13,932

FQA70N15

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 175nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,830

FQA7N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 152W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,176

FQA7N80

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,466

FQA7N80C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,218

FQA7N80C-F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음10,716

FQA7N80_F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,520

FQA7N90

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,988

FQA7N90_F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 198W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,204

FQA7N90M

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음5,148

FQA7N90M_F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 210W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음8,046

FQA85N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,542

FQA8N100C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 225W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,824

FQA8N80C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 220W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,628

FQA8N80C_F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 220W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음5,706

FQA8N90C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 240W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,862

FQA8N90C-F109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 240W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음16,752

FQA90N08

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PN
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,020

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