트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EKI10198 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 47A TO-220 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 23.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 116W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,316
EKI10300 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 34A TO-220 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 17.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,840
EKV550 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V TO-220 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,906
EMH1307-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-EMH 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음5,868
EMH1405-P-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-EMH 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음5,562
EMH1405-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-EMH 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음4,968
EMH2801-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A EMH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-EMH 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead	재고 있음5,148
EPC2001 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 25A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (11-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,418
EPC2001C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (11-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음614,322
EPC2007 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 205pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,464
EPC2007C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음139,368
EPC2010 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,526
EPC2010C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (7-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음78,360
EPC2012 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 145pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음7,056
EPC2012C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (4-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음1,650
EPC2014 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,482
EPC2014C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,381
EPC2015 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (11-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음5,058
EPC2015C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음73,122
EPC2016 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,586
EPC2016C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,281,512
EPC2018 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,388
EPC2019 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음70,254
EPC2020 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 16mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1780pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음44,250
EPC2021 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 14mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음29,760
EPC2021ENGR EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 14mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,640
EPC2022 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 12mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음43,488
EPC2023 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음52,068
EPC2024 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET NCH 40V 60A DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 19mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음13,752
EPC2025 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 194pF @ 240V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음7,128

EKI10198

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 47A TO-220

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 23.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 116W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,316

EKI10300

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,840

EKV550

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V TO-220

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,906

EMH1307-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-EMH
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음5,868

EMH1405-P-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-EMH
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음5,562

EMH1405-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-EMH
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음4,968

EMH2801-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A EMH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-EMH
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

재고 있음5,148

EPC2001

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 25A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (11-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,418

EPC2001C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (11-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음614,322

EPC2007

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 205pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,464

EPC2007C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음139,368

EPC2010

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,526

EPC2010C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (7-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음78,360

EPC2012

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 145pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음7,056

EPC2012C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (4-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음1,650

EPC2014

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.8nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,482

EPC2014C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,381

EPC2015

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (11-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음5,058

EPC2015C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 9mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음73,122

EPC2016

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,586

EPC2016C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,281,512

EPC2018

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,388

EPC2019

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음70,254

EPC2020

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 60V 90A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 16mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1780pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음44,250

EPC2021

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 14mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음29,760

EPC2021ENGR

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 14mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,640

EPC2022

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 12mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음43,488

EPC2023

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음52,068

EPC2024

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET NCH 40V 60A DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 19mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음13,752

EPC2025

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 194pF @ 240V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음7,128

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