트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMPH3010LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6807pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,094
DMPH3010LPSQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6807pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,744
DMPH4013SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4004pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,608
DMPH4013SK3Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4004pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,696
DMPH4015SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,508
DMPH4015SK3Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET PCH 40V 14A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-4L 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	재고 있음20,370
DMPH4015SPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,470
DMPH4015SPSQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,784
DMPH4015SSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,352
DMPH4015SSSQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,812
DMPH4023SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1091pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,916
DMPH4023SK3Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1091pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,796
DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1918pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,294
DMPH4025SFVWQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1918pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,934
DMPH4029LFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,490
DMPH4029LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,894
DMPH4029LFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,850
DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,012
DMPH6023SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2569pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,472
DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2569pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,958
DMPH6050SFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,058
DMPH6050SFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,406
DMPH6050SFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1293pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,974
DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.293nF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음42,930
DMPH6050SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1377pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음20,538
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1377pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,550
DMPH6250SQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 920mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,718
DMPH6250SQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 920mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,688
DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.3A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 353pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,916
DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DFN3020B (3x2) 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad	재고 있음3,508

DMPH3010LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6807pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,094

DMPH3010LPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6807pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,744

DMPH4013SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4004pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,608

DMPH4013SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4004pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,696

DMPH4015SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,508

DMPH4015SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET PCH 40V 14A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-4L
패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

재고 있음20,370

DMPH4015SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,470

DMPH4015SPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,784

DMPH4015SSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,352

DMPH4015SSSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4234pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,812

DMPH4023SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1091pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,916

DMPH4023SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1091pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,796

DMPH4025SFVWQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1918pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,294

DMPH4025SFVWQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1918pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,934

DMPH4029LFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,490

DMPH4029LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,894

DMPH4029LFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,850

DMPH4029LFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,012

DMPH6023SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2569pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,472

DMPH6023SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2569pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,958

DMPH6050SFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,058

DMPH6050SFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,406

DMPH6050SFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1293pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,974

DMPH6050SFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.293nF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음42,930

DMPH6050SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1377pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음20,538

DMPH6050SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1377pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.9W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,550

DMPH6250SQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 920mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,718

DMPH6250SQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 920mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,688

DMS2085LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.3A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 353pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,916

DMS2120LFWB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DFN3020B (3x2)
패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad

재고 있음3,508

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