트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2230pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	견적 요청
DMP3010LK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 30V 17A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,784
DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 17A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음128,772
DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.18W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음19,764
DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.18W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,646
DMP3012LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6807pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.29W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,124
DMP3013SFK-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,358
DMP3013SFK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V DFN2523-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,906
DMP3013SFV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V PWRDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1674pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,230
DMP3013SFV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1674pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음22,782
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2748pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음23,370
DMP3015LSSQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2748pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,644
DMP3017SFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,838
DMP3017SFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,844
DMP3017SFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 11.5A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,210
DMP3017SFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음468
DMP3017SFK-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6 패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN	재고 있음6,354
DMP3017SFK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6 패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN	재고 있음2,970
DMP3017SFV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 31W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,434
DMP3017SFV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 31W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,542
DMP3018SFK-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10.2A DFN2523-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6 패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN	재고 있음5,022
DMP3018SFK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10.2A DFN2523-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6 패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN	재고 있음6,048
DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,658
DMP3018SFV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음22,518
DMP3018SFVQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,178
DMP3018SFVQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,124
DMP3018SSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2714pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,906
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.7nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1802pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음54,318
DMP3025LK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1678pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.15W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,364
DMP3025LK3-13-01 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,110

DMP3008SFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2230pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

견적 요청

DMP3010LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 30V 17A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,784

DMP3010LK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 17A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음128,772

DMP3010LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.18W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음19,764

DMP3010LPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6234pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.18W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,646

DMP3012LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6807pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.29W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,124

DMP3013SFK-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2523-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,358

DMP3013SFK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V DFN2523-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,906

DMP3013SFV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1674pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,230

DMP3013SFV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1674pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음22,782

DMP3015LSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2748pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음23,370

DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2748pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,644

DMP3017SFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,838

DMP3017SFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,844

DMP3017SFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 11.5A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,210

DMP3017SFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음468

DMP3017SFK-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6
패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN

재고 있음6,354

DMP3017SFK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6
패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN

재고 있음2,970

DMP3017SFV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 31W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,434

DMP3017SFV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2246pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 31W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,542

DMP3018SFK-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10.2A DFN2523-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6
패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN

재고 있음5,022

DMP3018SFK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10.2A DFN2523-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4414pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2523-6
패키지 / 케이스: 6-PowerUDFN

재고 있음6,048

DMP3018SFV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,658

DMP3018SFV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETP-CHAN 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음22,518

DMP3018SFVQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,178

DMP3018SFVQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2147pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,124

DMP3018SSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta), 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2714pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,906

DMP3020LSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1802pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음54,318

DMP3025LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1678pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.15W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,364

DMP3025LK3-13-01

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,110

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