트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMN2058UW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 281pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음7,866
DMN2058UW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 281pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음73,068
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 430mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음361,446
DMN2065UWQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음2,106
DMN2075U-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 594.3pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음828,768
DMN2075UDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 594.3pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-363 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	재고 있음6,696
DMN2080UCB4-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 710mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X2-WLB0606-4 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLBGA	재고 있음8,352
DMN2100UDM-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-26 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음7,434
DMN2104L-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,616
DMN2112SN-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-59-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,804
DMN2114SN-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-59-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,268
DMN2170U-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 217pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,398
DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.93nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6) 패키지 / 케이스: 3-UFDFN	재고 있음2,430
DMN2230U-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음50,634
DMN2230UQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 20V 2A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,730
DMN2230UQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음25,056
DMN2250UFB-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.35A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X1-DFN1006-3 패키지 / 케이스: 3-UFDFN	재고 있음8,748
DMN2300U-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.24A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 64.3pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 430mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,405,638
DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 64.3pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음1,272,342
DMN2300UFB-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.32A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 67.62pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 468mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X1-DFN1006-3 패키지 / 케이스: 3-UFDFN	재고 있음6,462
DMN2300UFD-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.21A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 67.62pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 470mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X1-DFN1212-3 패키지 / 케이스: 3-UDFN	재고 있음2,862
DMN2320UFB4-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 71pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음5,850
DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 470mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음2,844
DMN2400UFB4-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,544
DMN2400UFB4-7R Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,194
DMN2400UFB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 470mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-X1DFN1006 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음161,592
DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 500nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X1-DFN1212-3 패키지 / 케이스: 3-UDFN	재고 있음4,194
DMN2400UFDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN1212-3 (Type C) 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN	재고 있음2,808
DMN2400UFDQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN1212-3 (Type C) 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN	재고 있음5,544
DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음3,798

DMN2058UW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 281pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음7,866

DMN2058UW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 8V 24V SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 281pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음73,068

DMN2065UW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 430mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음361,446

DMN2065UWQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음2,106

DMN2075U-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 594.3pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음828,768

DMN2075UDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 594.3pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-363
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

재고 있음6,696

DMN2080UCB4-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 710mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X2-WLB0606-4
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLBGA

재고 있음8,352

DMN2100UDM-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-26
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음7,434

DMN2104L-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,616

DMN2112SN-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-59-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,804

DMN2114SN-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-59-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,268

DMN2170U-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 217pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,398

DMN21D2UFB-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.93nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
패키지 / 케이스: 3-UFDFN

재고 있음2,430

DMN2230U-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음50,634

DMN2230UQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 20V 2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,730

DMN2230UQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음25,056

DMN2250UFB-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.35A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X1-DFN1006-3
패키지 / 케이스: 3-UFDFN

재고 있음8,748

DMN2300U-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.24A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 64.3pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 430mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,405,638

DMN2300UFB4-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 64.3pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음1,272,342

DMN2300UFB-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.32A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 67.62pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 468mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X1-DFN1006-3
패키지 / 케이스: 3-UFDFN

재고 있음6,462

DMN2300UFD-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.21A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 67.62pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 470mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X1-DFN1212-3
패키지 / 케이스: 3-UDFN

재고 있음2,862

DMN2320UFB4-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 71pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음5,850

DMN2400UFB4-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 470mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음2,844

DMN2400UFB4-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,544

DMN2400UFB4-7R

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,194

DMN2400UFB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 470mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-X1DFN1006
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음161,592

DMN2400UFD-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 500nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X1-DFN1212-3
패키지 / 케이스: 3-UDFN

재고 있음4,194

DMN2400UFDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN1212-3 (Type C)
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN

재고 있음2,808

DMN2400UFDQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 37pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN1212-3 (Type C)
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN

재고 있음5,544

DMN2450UFB4-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 56pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: X2-DFN1006-3
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음3,798

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