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부품 번호	설명	재고 있음
UCC27524DSDT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음4,882
UCC27524P Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음20,934
UCC27525D Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,352
UCC27525DGN Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8MSOP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad	재고 있음7,668
UCC27525DGNR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8MSOP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad	재고 있음66,306
UCC27525DR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,380
UCC27525DSDR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음3,816
UCC27525DSDT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음12,252
UCC27526DSDR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음6,192
UCC27526DSDT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음7,506
UCC27527DSDR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음4,878
UCC27527DSDT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음6,828
UCC27528D Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LOW SIDE DUAL 8SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,790
UCC27528DR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LOW SIDE DUAL 8SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,876
UCC27528DSDR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LOW SIDE 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음3,474
UCC27528DSDT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LOW SIDE 8SON 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SON (3x3)	재고 있음5,076
UCC27528QDRQ1 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR LOW SIDE DUAL 8SOIC 제조업체: 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,470
UCC27531D Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER FET/IGBT 8SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음9,756
UCC27531DBVR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음20,000
UCC27531DBVT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음35,490
UCC27531DR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,750
UCC27531QDBVRQ1 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 제조업체: 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음6,750
UCC27532DBVR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC IGBT GATE DRIVER SOT-23-6 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음8,928
UCC27532DBVT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC IGBT GATE DRIVER SOT-23-6 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음8,076
UCC27532QDBVRQ1 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC IGBT GATE DRIVER SOT-23-6 제조업체: 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 1.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음7,200
UCC27533DBVR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음4,014
UCC27533DBVT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DVR FET/IGBT SOT23-5 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음17,454
UCC27536DBVR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 2.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음6,228
UCC27536DBVT Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 2.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음14,880
UCC27537DBVR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-5 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 32V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.5A, 5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음55,548

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