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부품 번호	설명	재고 있음
UC3708DWG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL NON-INV PWR DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,330
UC3708DWTR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL NON-INV PWR DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,778
UC3708N Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL NON-INVERT PWR DRV 8DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음10,872
UC3708NE Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC NON-INVERT PWR DRIVER 16-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음8,370
UC3708NG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL NON-INVERT PWR DRV 8DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,762
UC3709DW Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL HS FET DRIVER 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 40V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,392
UC3709N Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC INVERTING MOSFET DRVR 8-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 40V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음12,461
UC3709NG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC INVERTING MOSFET DRVR 8-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 40V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,562
UC3710DW Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC HIGH CURRENT FET DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.7V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 85ns, 85ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,484
UC3710DWG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC HIGH CURRENT FET DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.7V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 85ns, 85ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,150
UC3710N Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT MOSFET DRVR 8-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.7V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 85ns, 85ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음24,720
UC3710NG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC HIGH CURRENT FET DRVR 8-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.7V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 85ns, 85ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,292
UC3710T Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPL MOSFET DRVR TO-220-5 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.7V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 85ns, 85ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-5 공급자 장치 패키지: TO-220-5	재고 있음657
UC3710TG3 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC HIGH CURRENT FET DRVR TO220-5 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.7V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 85ns, 85ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-5 공급자 장치 패키지: TO-220-5	재고 있음17,160
UC3714D Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,208
UC3714DP Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMNT SW FET DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,200
UC3714DPG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMNT SW FET DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,704
UC3714DTR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT SW FET DRIVR 8SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,650
UC3714N Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,136
UC3715D Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,024
UC3715DG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,714
UC3715DP Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMP SW FET DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,526
UC3715DPG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMP SW FET DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,596
UC3715DTR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMP SW FET DRVR 16-SOIC 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,790
UC3715N Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,978
UC3715NG4 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 IC COMPLEMENT SW FET DRVR 8-DIP 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 500mA, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,066
UCC21222D Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 4A/6A 2KVRMS DUAL CH ISO DR 8V 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 1.25V, 1.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 6A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 5ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,524
UCC21222DR Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 4A/6A 2KVRMS DUAL CH ISO DR 8V 제조업체: 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 1.25V, 1.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 6A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 5ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,238
UCC21222QDQ1 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 AUTOMOTIVE 4-A, 6-A, 3.0-KV(RMS) 제조업체: 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 1.25V, 1.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 6A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 5ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음13,206
UCC21222QDRQ1 Texas Instruments	PMIC-게이트 드라이버 4A/6A 2KVRMS DUAL CH ISO DR 8V 제조업체: 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 1.25V, 1.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 6A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 5ns, 6ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,614

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