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PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

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부품 번호	설명	재고 있음
TC4451VMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음3,132
TC4451VOA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음14,958
TC4451VOA713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,610
TC4451VPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,560
TC4452VAT Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS TO220-5 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-5 공급자 장치 패키지: TO-220-5	재고 있음7,272
TC4452VMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음22,680
TC4452VMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음5,832
TC4452VOA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음18,024
TC4452VOA713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,848
TC4452VPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 12A HS 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 13A, 13A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 30ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,164
TC4467COE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음10,536
TC4467COE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,484
TC4467CPD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD NAND 14DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음6,348
TC4467EJD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD NAND 14CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-CERDIP	재고 있음4,428
TC4467EOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,156
TC4467EPD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD NAND 14DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음8,946
TC4467MJD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD NAND 14CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-CERDIP	재고 있음2,358
TC4468COE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD AND 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음23,484
TC4468COE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD AND 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,322
TC4468CPD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD AND 14DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음8,088
TC4468EJD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD AND 14CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-CERDIP	재고 있음4,716
TC4468EOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD AND 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,676
TC4468EPD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD AND 14DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음6,852
TC4468MJD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR QUAD AND 14CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-CERDIP	재고 있음4,842
TC4469COE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음23,886
TC4469COE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음42,768
TC4469CPD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR AND/INV 14DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음9,276
TC4469EJD Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR AND/INV 14CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-CERDIP	재고 있음8,658
TC4469EOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음10,284
TC4469EOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 1.2A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음16,724

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