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부품 번호	설명	재고 있음
MCP14E3-E/SL Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: - 드라이버 수: 2 게이트 유형: - 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,916
MCP14E3-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,692
MCP14E3T-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음2,340
MCP14E3T-E/SL Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: - 드라이버 수: 2 게이트 유형: - 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,832
MCP14E3T-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,952
MCP14E4-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음8,640
MCP14E4-E/P Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,246
MCP14E4-E/SL Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRVR 4.5A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,470
MCP14E4-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음20,148
MCP14E4T-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음4,914
MCP14E4T-E/SL Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRVR 4.5A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,472
MCP14E4T-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,302
MCP14E4T-E/SNVAO Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER WITH ENABLED PIN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,614
MCP14E5-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음3,456
MCP14E5-E/P Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,174
MCP14E5-E/SL Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRVR 4.5A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,840
MCP14E5-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,428
MCP14E5T-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음7,110
MCP14E5T-E/SL Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRVR 4.5A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,374
MCP14E5T-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,464
MCP14E6-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음6,696
MCP14E6-E/P Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,424
MCP14E6-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,620
MCP14E6T-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음5,328
MCP14E6T-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,868
MCP14E7-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음6,300
MCP14E7-E/P Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,876
MCP14E7-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음15,120
MCP14E7T-E/MF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음2,214
MCP14E7T-E/SN Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER 2A 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,978

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