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부품 번호	설명	재고 있음
MC33152VDR2G ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.1V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 36ns, 32ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음665
MC33153D ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,166
MC33153DG ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음19,440
MC33153DR2 ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,788
MC33153DR2G ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음22,812
MC33153P ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,526
MC33153PG ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 11V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 2A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음13,710
MC33285D NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL H-SIDE TMOS 8SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 40V 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 1.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,330
MC33395DWB NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 3PHASE 32-SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 350ns, 250ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음5,724
MC33395DWBR2 NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 3PHASE 32-SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 350ns, 250ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음5,904
MC33395EW NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 3PHASE 32SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 350ns, 250ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음6,066
MC33395EWR2 NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 3PHASE 32SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 350ns, 250ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음8,370
MC33395TDWBR2 NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 3PHASE 32-SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 350ns, 250ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음3,042
MC33395TEW NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 3PHASE 32SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 350ns, 250ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음6,984
MC33395TEWR2 NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 3PHASE 32SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 350ns, 250ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음6,840
MC33883DW NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20-SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 28V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 55V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 80ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC	재고 있음5,094
MC33883DWR2 NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20-SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 28V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 55V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 80ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC	재고 있음3,060
MC33883HEG NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: - 드라이버 수: 4 게이트 유형: - 전압-공급: 5.5V ~ 55V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC	재고 있음2,322
MC33883HEGR2 NXP	PMIC-게이트 드라이버 IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20SOIC 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 4 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 28V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1A, 1A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 55V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 80ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SOIC	재고 있음2,364
MC34151D ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 31ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,182
MC34151DG ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 31ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음13,176
MC34151DR2 ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 31ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,518
MC34151DR2G ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 31ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,120
MC34151P ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 31ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,238
MC34151PG ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 31ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,064
MC34152D ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.1V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 36ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,966
MC34152DG ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.1V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 36ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음51,644
MC34152DR2 ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.1V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 36ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,084
MC34152DR2G ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.1V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 36ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음34,637
MC34152P ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 6.1V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 36ns, 32ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,024

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