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기록 194,611
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
IXBF14N250
IXBF14N250

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRIVER ISOPLUS I4-PAC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: -
  • 채널 유형: -
  • 드라이버 수: -
  • 게이트 유형: -
  • 전압-공급: -
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): -
  • 입력 유형: -
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)
  • 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
재고 있음3,580
IXC611P1
IXC611P1

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: -
  • 채널 유형: -
  • 드라이버 수: -
  • 게이트 유형: -
  • 전압-공급: -
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): -
  • 입력 유형: -
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음6,318
IXC611S1
IXC611S1

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: -
  • 채널 유형: -
  • 드라이버 수: -
  • 게이트 유형: -
  • 전압-공급: -
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): -
  • 입력 유형: -
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,614
IXC611S1T/R

PMIC-게이트 드라이버

IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: -
  • 채널 유형: -
  • 드라이버 수: -
  • 게이트 유형: -
  • 전압-공급: -
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): -
  • 입력 유형: -
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,808
IXD611P1
IXD611P1

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8DIP

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 2.7V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 28ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음3,438
IXD611P7
IXD611P7

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 2.7V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 28ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 14-PDIP
재고 있음8,802
IXD611S1
IXD611S1

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 2.7V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 28ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,820
IXD611S1T/R

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 2.7V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 28ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,826
IXD611S7
IXD611S7

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 2.7V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 28ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 14-SOIC
재고 있음8,406
IXD611S7T/R

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 2.7V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 28ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 14-SOIC
재고 있음5,796
IXDD404PI
IXDD404PI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 13ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음5,184
IXDD404SI
IXDD404SI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 13ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,646
IXDD404SI-16

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 13ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음5,364
IXDD404SIA
IXDD404SIA

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 13ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,790
IXDD404SIA-16

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 16ns, 13ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 16-SOIC
재고 있음4,050
IXDD408CI
IXDD408CI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 25V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 8A, 8A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 15ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-5
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-5
재고 있음5,022
IXDD408PI
IXDD408PI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8-DIP

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 25V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 8A, 8A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 15ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음5,634
IXDD408SI
IXDD408SI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 25V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 8A, 8A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 15ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,294
IXDD408YI
IXDD408YI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 25V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 8A, 8A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 15ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
재고 있음7,740
IXDD409CI
IXDD409CI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-5
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-5
재고 있음4,104
IXDD409PI
IXDD409PI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음2,340
IXDD409SI
IXDD409SI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,572
IXDD409YI
IXDD409YI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC HIGH CURR GATE DRVR 9A TO-263

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 9A, 9A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
재고 있음6,606
IXDD414CI
IXDD414CI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRV LS 14A SGL 5TO-220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 22ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-5
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-5
재고 있음4,968
IXDD414PI
IXDD414PI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER LS 14A SGL 8DIP

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 22ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음7,182
IXDD414SI
IXDD414SI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR 14A LOSIDE 14SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 22ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 14-SOIC
재고 있음6,480
IXDD414YI
IXDD414YI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR LS 14A SGL 5TO263

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 14A, 14A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 22ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
재고 있음6,984
IXDD415SI
IXDD415SI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR DUAL 15A 28-SOIC

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 8V ~ 30V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 15A, 15A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 4.5ns, 3.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 28-SOIC
재고 있음3,418
IXDD430CI
IXDD430CI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 8.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 30A, 30A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 16ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-5
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-5
재고 있음3,150
IXDD430MCI
IXDD430MCI

IXYS

PMIC-게이트 드라이버

IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 8.5V ~ 35V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 30A, 30A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 18ns, 16ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-5
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-5
재고 있음8,820