전력 관리 IC

PMIC-AC DC 컨버터, 오프라인 스위처 (3,694)
PMIC-배터리 충전기 (2,798)
PMIC-배터리 관리 (3,367)
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PMIC-게이트 드라이버 (5,436)
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PMIC-조명, 안정기 컨트롤러 (417)
PMIC-모터 드라이버, 컨트롤러 (3,435)
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PMIC-PoE (Power Over Ethernet) 컨트롤러 (637)
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PMIC-감독관 (37,657)
PMIC-열 관리 (465)
PMIC-V / F 및 F / V 변환기 (125)
PMIC-기준 전압 (7,166)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 컨트롤러 (9,302)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 조정기 (30,726)
PMIC-전압 조정기-선형 (57,737)
PMIC-전압 조정기-선형 + 스위칭 (1,319)
PMIC-전압 조정기-선형 조정기 컨트롤러 (207)
PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

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부품 번호	설명	재고 있음
ISL89163FRTAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음11,364
ISL89163FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음8,802
ISL89163FRTBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음8,856
ISL89163FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음6,372
ISL89163FRTCZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음6,444
ISL89163FRTCZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음7,938
ISL89164FBEAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음19,206
ISL89164FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,164
ISL89164FBEBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,040
ISL89164FBEBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음3,456
ISL89164FBECZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음5,940
ISL89164FBECZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음2,988
ISL89164FRTAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음7,398
ISL89164FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음6,156
ISL89164FRTBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음26,040
ISL89164FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음6,642
ISL89164FRTCZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음4,392
ISL89164FRTCZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음7,128
ISL89165FBEAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,964
ISL89165FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음5,058
ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음20,208
ISL89165FBEBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,300
ISL89165FBECZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,434
ISL89165FBECZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음2,394
ISL89165FRTAZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음8,256
ISL89165FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.22V, 2.08V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음6,642
ISL89165FRTBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음4,608
ISL89165FRTBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 1.85V, 3.15V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-TDFN (3x3)	재고 있음2,808
ISL89165FRTCZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음2,718
ISL89165FRTCZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7.5V ~ 16V 논리 전압-VIL, VIH: 2.4V, 9.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 6A, 6A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,020

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